Transistor bipolaire NZT660

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 2 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 300
• Fréquence de transition minimum: 75 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor NZT660 par BDP950, BDP952, BDP954, BDP956 ou NZT45H8.