Transistor bipolaire 2SB633-F

Caractéristiques électriques du transistor 2SB633-F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -85 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB633-F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB633-F peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB633 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB633-C entre 40 à 80, celui du 2SB633-D entre 60 à 120, celui du 2SB633-E entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB633-F peut n'être marqué que B633-F.

Complémentaire du transistor 2SB633-F

Le transistor NPN complémentaire du 2SB633-F est le 2SD613-F.

Version SMD du transistor 2SB633-F

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB633-F.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB633-F

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB633-F par BD244C, BD544C, BD546C, BD802, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com