Transistor bipolaire 2SB825-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SB825-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 140 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB825-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB825-S peut avoir un gain en courant continu de 140 à 280. Le gain en courant continu du 2SB825 est compris entre 70 à 280, celui du 2SB825-Q entre 70 à 140, celui du 2SB825-R entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB825-S peut n'être marqué que B825-S.

Complémentaire du transistor 2SB825-S

Le transistor NPN complémentaire du 2SB825-S est le 2SD1061-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB825-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB825-S par 2SA1290, 2SA1290-S, 2SA1291, 2SA1291-S, 2SA1470, 2SA1470-S, 2SA1471, 2SA1471-S, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SB1135, 2SB1135-S, 2SB1136, 2SB1136-S, 2SB826, 2SB826-S, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP ou D45H8.
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