Transistor bipolaire 2SB775

Caractéristiques électriques du transistor 2SB775

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -85 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 18 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB775

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB775 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB775-D est compris entre 60 à 120, celui du 2SB775-E entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB775 peut n'être marqué que B775.

Complémentaire du transistor 2SB775

Le transistor NPN complémentaire du 2SB775 est le 2SD895.

Version SMD du transistor 2SB775

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB775.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB775

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB775 par 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1788, 2SB1162, 2SB1361, 2SB1362, 2SB695, 2SB816, 2SB817, 2SB965, 2SB966, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817B ou TIP36CA.
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