Transistor bipolaire 2SD895
Caractéristiques électriques du transistor 2SD895
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 85 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 6 A
- Dissipation de puissance maximum: 60 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 200
- Fréquence de transition minimum: 15 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SD895
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD895
Version SMD du transistor 2SD895
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD895
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com