Transistor bipolaire 2SB709A-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB709A-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 460
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du 2SB709A-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB709A-Q peut avoir un gain en courant continu de 160 à 460. Le gain en courant continu du 2SB709A est compris entre 160 à 460, celui du 2SB709A-R entre 160 à 460, celui du 2SB709A-S entre 160 à 460.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB709A-Q peut n'être marqué que B709A-Q.

Complémentaire du transistor 2SB709A-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB709A-Q est le 2SD601A-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB709A-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB709A-Q par 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 ou SMBTA56.
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