Transistor bipolaire 2SB560-D

Caractéristiques électriques du transistor 2SB560-D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB560-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB560-D peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB560 est compris entre 60 à 560, celui du 2SB560-E entre 100 à 200, celui du 2SB560-F entre 160 à 320, celui du 2SB560-G entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB560-D peut n'être marqué que B560-D.

Complémentaire du transistor 2SB560-D

Le transistor NPN complémentaire du 2SB560-D est le 2SD438-D.

Version SMD du transistor 2SB560-D

Le 2SA1368 (SOT-89) et 2SA1368-C (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB560-D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB560-D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB560-D par 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AB, 2SB647B, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 ou KTA1275R.
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