Transistor bipolaire 2SB647AB

Caractéristiques électriques du transistor 2SB647AB

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB647AB

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB647AB peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB647A est compris entre 60 à 200, celui du 2SB647AC entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB647AB peut n'être marqué que B647AB.

Complémentaire du transistor 2SB647AB

Le transistor NPN complémentaire du 2SB647AB est le 2SD667AB.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB647AB

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB647AB par 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 ou KTA1275R.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com