Transistor bipolaire 2SB647B

Caractéristiques électriques du transistor 2SB647B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB647B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB647B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB647 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB647C entre 100 à 200, celui du 2SB647D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB647B peut n'être marqué que B647B.

Complémentaire du transistor 2SB647B

Le transistor NPN complémentaire du 2SB647B est le 2SD667B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB647B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB647B par 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SB647A, 2SB647AB, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 ou KTA1275R.
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