Transistor bipolaire 2SB556-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 80
• Fréquence de transition minimum: 6 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB556-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB556 est compris entre 40 à 140, celui du 2SB556-O entre 70 à 140.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB556-R peut n'être marqué que B556-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB556-R est le 2SD426-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB556-R par 2N6030, 2N6438, 2SA1041, 2SA1043, 2SA679, 2SA679-R, 2SA908, 2SA909, 2SB552, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-R, 2SB555, 2SB555-R, 2SB697, 2SB697-C, 2SB697K, 2SB697K-C, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.