Transistor bipolaire 2SB555
Caractéristiques électriques du transistor 2SB555
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
- Tension collecteur-base maximum: -140 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -12 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 140
- Fréquence de transition minimum: 6 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SB555
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB555
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB555
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