Transistor bipolaire 2SB555

Caractéristiques électriques du transistor 2SB555

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -140 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 6 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB555

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB555 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 140. Le gain en courant continu du 2SB555-O est compris entre 70 à 140, celui du 2SB555-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB555 peut n'être marqué que B555.

Complémentaire du transistor 2SB555

Le transistor NPN complémentaire du 2SB555 est le 2SD425.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB555

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB555 par 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB697, 2SB697K, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.
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