Transistor bipolaire 2SB1142

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1142

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1142

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1142 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1142-R est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1142-S entre 140 à 280, celui du 2SB1142-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1142 peut n'être marqué que B1142.

Complémentaire du transistor 2SB1142

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1142 est le 2SD1682.

Version SMD du transistor 2SB1142

Le 2SB1123 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB1142.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1142

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1142 par 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB1167, 2SB1168, 2SB986, BD190, MJE235, MJE252 ou MJE254.
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