Transistor bipolaire 2SB1141

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1141

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
  • Tension collecteur-base maximum: -20 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1141

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1141 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1141-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1141-R entre 100 à 200, celui du 2SB1141-S entre 140 à 280, celui du 2SB1141-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1141 peut n'être marqué que B1141.

Complémentaire du transistor 2SB1141

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1141 est le 2SD1681.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1141

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1141 par 2SB772, BD186, KSB772, KSH772 ou MJE370.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com