Transistor bipolaire 2SD1681

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1681

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 18 V
  • Tension collecteur-base maximum: 20 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD1681

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1681 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 400. Le gain en courant continu du 2SD1681-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1681-R entre 100 à 200, celui du 2SD1681-S entre 140 à 280, celui du 2SD1681-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1681 peut n'être marqué que D1681.

Complémentaire du transistor 2SD1681

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1681 est le 2SB1141.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1681

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1681 par 2SD882, BD185, KSD882, KSH882 ou MJE520.
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