Transistor bipolaire 2N5879

Caractéristiques électriques du transistor 2N5879

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 160 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5879

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5879

Le transistor NPN complémentaire du 2N5879 est le 2N5881.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5879

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5879 par 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6246, 2N6247, 2N6248, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 ou MJ14003G.
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