Transistor bipolaire 2N5883G

Caractéristiques électriques du transistor 2N5883G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -25 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le 2N5883G est la version sans plomb du transistor 2N5883

Brochage du 2N5883G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5883G

Le transistor NPN complémentaire du 2N5883G est le 2N5885G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5883G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5883G par 2N5883, 2N5884, 2N5884G, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 ou MJ14003G.
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