Transistor bipolaire MJ14001G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ14001G est la version sans plomb du transistor MJ14001

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ14001G est le MJ14000G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14001G par MJ14001, MJ14003 ou MJ14003G.