Transistor bipolaire MJ14003G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ14003G est la version sans plomb du transistor MJ14003

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ14003G est le MJ14002G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14003G par MJ14003.