Transistor bipolaire MJ14001

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -60 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ14001 est le MJ14000.Vous pouvez remplacer le transistor MJ14001 par MJ14001G, MJ14003 ou MJ14003G.Le transistor MJ14001G est la version sans plomb du MJ14001.