Transistor bipolar KTB1369Y

Características del transistor KTB1369Y

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del KTB1369Y

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB1369Y puede tener una ganancia de corriente de 120 a 240. La ganancia del KTB1369 estará en el rango de 70 a 240, para el KTB1369O estará en el rango de 70 a 140.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB1369Y es el KTD2061Y.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1369Y

Puede sustituir el KTB1369Y por el 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SB940A, 2SB940A-P, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 o MJE5851G.
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