Transistor bipolar KTB1369O

Características del transistor KTB1369O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del KTB1369O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB1369O puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del KTB1369 estará en el rango de 70 a 240, para el KTB1369Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB1369O es el KTD2061O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1369O

Puede sustituir el KTB1369O por el 2SA1009, 2SA1668, 2SA1859A, 2SB630, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 o MJE5851G.
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