Transistor bipolar KTB1369O
Características del transistor KTB1369O
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
Diagrama de pines del KTB1369O
Clasificación de hFE
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1369O
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