Transistor bipolar MJE15035G

Características del transistor MJE15035G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -350 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -350 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE15035G es la versión sin plomo del transistor MJE15035

Diagrama de pines del MJE15035G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE15035G es el MJE15034G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE15035G

Puede sustituir el MJE15035G por el MJE15035.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com