Transistor bipolar KTD2061O
Características del transistor KTD2061O
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 180 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 200 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
Diagrama de pines del KTD2061O
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor KTD2061O
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com