Transistor bipolar KTD2061O

Características del transistor KTD2061O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del KTD2061O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTD2061O puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del KTD2061 estará en el rango de 70 a 240, para el KTD2061Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KTD2061O es el KTB1369O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTD2061O

Puede sustituir el KTD2061O por el 2SC4382, 2SC4883A, 2SD1264A, 2SD1264A-Q, 2SD610, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, FJP5200, FJPF5200, MJE15032 o MJE15032G.
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