Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-92S
Diagrama de pines del KSB811-G
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor KSB811-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSB811 estará en el rango de 70 a 400, para el KSB811-O estará en el rango de 70 a 140, para el KSB811-Y estará en el rango de 120 a 240.
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del KSB811-G es el KSD1021-G.