Transistor bipolar KSB811-G

Características del transistor KSB811-G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 110 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92S

Diagrama de pines del KSB811-G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB811-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSB811 estará en el rango de 70 a 400, para el KSB811-O estará en el rango de 70 a 140, para el KSB811-Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB811-G es el KSD1021-G.

Versión SMD del transistor KSB811-G

El 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-GR (SOT-323), BC808 (SOT-23), BC808-25 (SOT-23), BC808-25W (SOT-323), BC808W (SOT-323), FMMT549A (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505GL (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) y KTA1505S-GL (SOT-23) es la versión SMD del transistor KSB811-G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB811-G

Puede sustituir el KSB811-G por el 2N4953, 2N4954, 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB564, 2SB564K, 2SB598, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116S, KSB1116S-G, KSB564AC o KSB564ACG.
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