Transistor bipolar KSD1021-G

Características del transistor KSD1021-G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92S

Diagrama de pines del KSD1021-G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSD1021-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSD1021 estará en el rango de 120 a 400, para el KSD1021-Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSD1021-G es el KSB811-G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSD1021-G

Puede sustituir el KSD1021-G por el 2SC2500, 2SC2500-A, 2SC2500-B, 2SC2500-C, 2SC2500-D, 2SC4408, 2SC4604, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616, 2SD1616-K, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1835, 2SD1835-T, 2SD789, KSC2500, KSC2500-A, KSC2500-B, KSC2500-C, KSC2500-D, KSC5019, KSD1616, KSD1616-G, KSD1616A, KSD1616A-G, KSD471AC o KSD471ACG.
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