Transistor bipolar BD879

Características del transistor BD879

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD879

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD879 es el BD880.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD879

Puede sustituir el BD879 por el 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O o KSD1692-Y.
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