Transistor bipolar KSD1692-G
Características del transistor KSD1692-G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 15 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 8000 a 20000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1692-K transistor
Diagrama de pines del KSD1692-G
Clasificación de hFE
Sustitución y equivalentes para el transistor KSD1692-G
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