Transistor bipolar BCW66H

Características del transistor BCW66H

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 75 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 250 a 630
  • Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW66H

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW66H puede tener una ganancia de corriente de 250 a 630. La ganancia del BCW66 estará en el rango de 100 a 630, para el BCW66F estará en el rango de 100 a 250, para el BCW66G estará en el rango de 160 a 400.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BCW66H es el BCW68H.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW66H

Puede sustituir el BCW66H por el FMMT619 o FMMT620.
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