Transistor bipolar BCW67

Características del transistor BCW67

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 630
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW67

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW67 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 630. La ganancia del BCW67A estará en el rango de 100 a 250, para el BCW67B estará en el rango de 160 a 400, para el BCW67C estará en el rango de 250 a 630.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BCW67 es el BCW65.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW67

Puede sustituir el BCW67 por el BCW68.
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