Transistor bipolar 2SD669-B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SD669-B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SD669 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SD669-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD669-D estará en el rango de 160 a 320.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD669-B puede estar marcado sólo como "D669-B".El transistor PNP complementario del 2SD669-B es el 2SB649-B.Puede sustituir el 2SD669-B por el 2SC2481, 2SC2481-R, 2SC3621, 2SC3621-R, 2SD669A o 2SD669A-B.