Transistor bipolar 2SD669-D

Características del transistor 2SD669-D

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD669-D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD669-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SD669 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SD669-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SD669-C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD669-D puede estar marcado sólo como "D669-D".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD669-D es el 2SB649-D.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD669-D

Puede sustituir el 2SD669-D por el 2SC2481, 2SC2481-Y, 2SC3117 o 2SC3902.
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