Transistor bipolar 2SD669-D
Características del transistor 2SD669-D
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
- Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SD669-D
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD669-D
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