Transistor bipolar 2SD669

Características del transistor 2SD669

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD669

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD669 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SD669-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SD669-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD669-D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD669 puede estar marcado sólo como "D669".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD669 es el 2SB649.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD669

Puede sustituir el 2SD669 por el 2SC2481.
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