Transistor bipolar 2SD669A-B

Características del transistor 2SD669A-B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD669A-B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD669A-B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SD669A estará en el rango de 60 a 200, para el 2SD669A-C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD669A-B puede estar marcado sólo como "D669A-B".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD669A-B es el 2SB649A-B.
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