Transistor bipolar 2SB649-B

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB649-B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB649 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB649-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB649-D estará en el rango de 160 a 320.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB649-B puede estar marcado sólo como "B649-B".El transistor NPN complementario del 2SB649-B es el 2SD669-B.Puede sustituir el 2SB649-B por el 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB649A o 2SB649A-B.