Transistor bipolar 2SD555-Q

Características del transistor 2SD555-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SD555-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD555-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD555 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SD555-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SD555-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD555-Q puede estar marcado sólo como "D555-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD555-Q es el 2SB600-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD555-Q

Puede sustituir el 2SD555-Q por el 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1586, 2SD746A, 2SD746A-Q, 2SD753, 2SD753-C, BUX48, BUX80, BUY69A, BUY69B, BUY69C, BUY70A, BUY70B, BUY70C, MJ10000 o MJ10001.
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