Transistor bipolar MJ10001

Características del transistor MJ10001

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 400 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 500 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 20 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 175 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 600
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ10001

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
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