Transistor bipolar 2SD555

Características del transistor 2SD555

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SD555

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD555 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 200. La ganancia del 2SD555-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD555-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SD555-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD555 puede estar marcado sólo como "D555".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD555 es el 2SB600.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD555

Puede sustituir el 2SD555 por el 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD746A, 2SD753, BUX48, BUX80, BUY69A, BUY69B, BUY69C, BUY70A, BUY70B o BUY70C.
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