Transistor bipolar MJ10000

Características del transistor MJ10000

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 350 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 450 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 20 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 175 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 600
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ10000

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ10000

Puede sustituir el MJ10000 por el MJ10001.
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