Transistor bipolar 2N6676
Características del transistor 2N6676
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 300 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 450 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
- Disipación de Potencia Máxima: 175 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 8
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del 2N6676
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6676
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