Transistor bipolar 2N6676

Características del transistor 2N6676

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 300 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 450 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 175 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N6676

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6676

Puede sustituir el 2N6676 por el 2N6546, 2N6547, 2N6677, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC2920, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, BUX48B, MJ10000 o MJ10001.
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