Transistor bipolar 2SD552-DN

Características del transistor 2SD552-DN

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 220 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 25 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SD552-DN

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD552-DN puede tener una ganancia de corriente de 25 a 50. La ganancia del 2SD552 estará en el rango de 25 a 80, para el 2SD552-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD552-DN puede estar marcado sólo como "D552-DN".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD552-DN es el 2SB552-BN.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD552-DN

Puede sustituir el 2SD552-DN por el 2N6546, 2N6676, 2N6677, MJ15022, MJ15022G, MJ15024, MJ15024G, MJ21194, MJ21194G, MJ21196 o MJ21196G.
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