Transistor bipolar MJ21196G

Características del transistor MJ21196G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 250 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 400 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 250 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 25 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ21196G es la versión sin plomo del transistor MJ21196

Diagrama de pines del MJ21196G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ21196G es el MJ21195.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ21196G

Puede sustituir el MJ21196G por el MJ21194, MJ21194G o MJ21196.
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