Transistor bipolar MJ21196G
Características del transistor MJ21196G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 250 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 400 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
- Disipación de Potencia Máxima: 250 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 25 a 75
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
- El MJ21196G es la versión sin plomo del transistor MJ21196
Diagrama de pines del MJ21196G
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJ21196G
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