Transistor bipolar 2SD552-R

Características del transistor 2SD552-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 220 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SD552-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD552-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SD552 estará en el rango de 25 a 80, para el 2SD552-DN estará en el rango de 25 a 50.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD552-R puede estar marcado sólo como "D552-R".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD552-R es el 2SB552-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD552-R

Puede sustituir el 2SD552-R por el 2N6676, 2N6677, 2SD424, 2SD424-R o 2SD753.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com