Transistor bipolar 2SB552-BN

Características del transistor 2SB552-BN

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -220 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 25 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB552-BN

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB552-BN puede tener una ganancia de corriente de 25 a 50. La ganancia del 2SB552 estará en el rango de 25 a 80, para el 2SB552-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB552-BN puede estar marcado sólo como "B552-BN".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB552-BN es el 2SD552-DN.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB552-BN

Puede sustituir el 2SB552-BN por el MJ15023, MJ15023G, MJ15025, MJ15025G, MJ21193, MJ21193G, MJ21195 o MJ21195G.
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