Transistor bipolar 2SD1269-P

Características del transistor 2SD1269-P

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 130 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1269-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1269-P puede tener una ganancia de corriente de 130 a 260. La ganancia del 2SD1269 estará en el rango de 60 a 260, para el 2SD1269-Q estará en el rango de 90 a 180, para el 2SD1269-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1269-P puede estar marcado sólo como "D1269-P".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1269-P es el 2SB944-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1269-P

Puede sustituir el 2SD1269-P por el 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SD1270, 2SD1270-P, 2SD1271, 2SD1271-P, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD866, 2SD866-P, 2SD866A, 2SD866A-P, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
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