Transistor bipolar 2SD1271-P

Características del transistor 2SD1271-P

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 130 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1271-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1271-P puede tener una ganancia de corriente de 130 a 260. La ganancia del 2SD1271 estará en el rango de 60 a 260, para el 2SD1271-Q estará en el rango de 90 a 180, para el 2SD1271-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1271-P puede estar marcado sólo como "D1271-P".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1271-P es el 2SB946-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1271-P

Puede sustituir el 2SD1271-P por el 2SD866, 2SD866-P, 2SD866A, 2SD866A-P, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 o MJF15030G.
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