Transistor bipolar 2SB870-R

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -130 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB870-R puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB870 estará en el rango de 60 a 260, para el 2SB870-P estará en el rango de 130 a 260, para el 2SB870-Q estará en el rango de 90 a 180.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB870-R puede estar marcado sólo como "B870-R".El transistor NPN complementario del 2SB870-R es el 2SD866-R.Puede sustituir el 2SB870-R por el 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB708, 2SB708-O, 2SB946, 2SB946-R, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010O, KSB708, KSB708-O, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.