Transistor bipolar 2SB870

Características del transistor 2SB870

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB870

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB870 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 260. La ganancia del 2SB870-P estará en el rango de 130 a 260, para el 2SB870-Q estará en el rango de 90 a 180, para el 2SB870-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB870 puede estar marcado sólo como "B870".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB870 es el 2SD866.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB870

Puede sustituir el 2SB870 por el 2SB946, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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