Transistor bipolar 2SB649-D

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 160 a 320
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB649-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SB649 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB649-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB649-C estará en el rango de 100 a 200.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB649-D puede estar marcado sólo como "B649-D".El transistor NPN complementario del 2SB649-D es el 2SD669-D.El PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89) y PBHV9115Z (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB649-D.Puede sustituir el 2SB649-D por el 2SA1021, 2SA1021-Y, 2SA1249 o 2SA1507.