Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SB648-D
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SB648-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SB648 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB648-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB648-C estará en el rango de 100 a 200.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB648-D puede estar marcado sólo como "B648-D".
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del 2SB648-D es el 2SD668-D.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB648-D