Transistor bipolar 2SB1110

Características del transistor 2SB1110

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1110

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1110 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SB1110-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1110-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1110-D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1110 puede estar marcado sólo como "B1110".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1110 es el 2SD1610.

Versión SMD del transistor 2SB1110

El BF623 (SOT-89) y BF823 (SOT-23) es la versión SMD del transistor 2SB1110.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1110

Puede sustituir el 2SB1110 por el 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541 o KSA1381.
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