Transistor bipolar 2SB1110
Características del transistor 2SB1110
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
- Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SB1110
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor 2SB1110
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1110
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